Basicsemi碳化硅MOSFET

 

我们的团队充满朝气与活力，团队平均年龄不超过30岁，70%以上人员拥有超5年的行业工作经验，我们为客户提供研发选型阶段之规格推荐,样品提供，技术支持及方案整合等专业的服务，并配合客户依照需求提前备料及库存管理。 

 

我们已经在新能源、汽车电子、工业控制、电力电子、医疗、物联网、机器人等领域拥有比较高的市场占有率。我们持续提供快速的反馈及优越的交货服务满足客户差异化之需求，以创造更高的产品附加价值。

 

BASiC基本半导体,SiC碳化硅二极管,SiC碳化硅MOSFET专业代理商：

 

B1D02065K TO-220-2 SiC碳化硅二极管 

B1D02065E TO-252 SiC碳化硅二极管 

B1D02065E TO-252 SiC碳化硅二极管 

B1D04065KF TO-220F-2 SiC碳化硅二极管 

B1D04065L TO-223 SiC碳化硅二极管 

B1D04065K TO-220-2 SiC碳化硅二极管 

B2D04065K1 TO-220-2 SiC碳化硅二极管 

B1D04065E TO-252 SiC碳化硅二极管 

B2D04065V SMBF SiC碳化硅二极管 

B2D04065D SMAF SiC碳化硅二极管 

B1D06065KS TO-220-isolate SiC碳化硅二极管 

B1D06065F TO-263 SiC碳化硅二极管 

B1D06065E TO-252 SiC碳化硅二极管 

B1D06065K TO-220-2 SiC碳化硅二极管 

B1D06065KF TO-220F-2 SiC碳化硅二极管 

B2D06065K TO-220-2 SiC碳化硅二极管 

B2D06065E TO-252 SiC碳化硅二极管 

B2D06065Q DFN8*8 SiC碳化硅二极管 

B1D08065F TO-263 SiC碳化硅二极管 

B1D08065E TO-252 SiC碳化硅二极管 

B1D16065HC TO-247-3 SiC碳化硅二极管 

B1D08065K TO-220-2 SiC碳化硅二极管 

B1D08065KF TO-220F-2 SiC碳化硅二极管 

B1D08065KS TO-220-isolate SiC碳化硅二极管 

B2D08065K TO-220-2 SiC碳化硅二极管 

B2D08065KS TO-220-isolate SiC碳化硅二极管 

B1D20065HC TO-247-3 SiC碳化硅二极管 

B1D10065K TO-220-2 SiC碳化硅二极管 

B2D10065K1 TO-220-2 SiC碳化硅二极管 

B1D10065KF TO-220F-2 SiC碳化硅二极管 

B1D10065KS TO-220-isolate SiC碳化硅二极管 

B1D10065F TO-263 SiC碳化硅二极管 

B1D10065E TO-252 SiC碳化硅二极管 

B1D10065H TO-247-2 SiC碳化硅二极管 

B1D10065H TO-247-2 SiC碳化硅二极管 

B2D10065K TO-220-2 SiC碳化硅二极管 

B2D10065Q DFN8*8 SiC碳化硅二极管 

B2D10065KS TO-220-isolate SiC碳化硅二极管 

B2D10065F TO-263 SiC碳化硅二极管 

B2D20065HC1 TO-247-3 SiC碳化硅二极管 

B1D12065K TO-220-2 SiC碳化硅二极管 

B1D15065K TO-220-2 SiC碳化硅二极管 

B2D15065K TO-220-2 SiC碳化硅二极管 

B1D30065HC TO-247-3 SiC碳化硅二极管 

B2D30065HC1 TO-247-3 SiC碳化硅二极管 

B2D20065TF TO-3PF SiC碳化硅二极管 

B2D20065K TO-220-2 SiC碳化硅二极管 

B2D20065H TO-247-2 SiC碳化硅二极管 

B2D40065HC TO-247-3 SiC碳化硅二极管 

B1D02120E TO-252 SiC碳化硅二极管 

B2D02120E1 TO-252 SiC碳化硅二极管 

B1D03120E TO-252 SiC碳化硅二极管 

B1D05120E TO-252 SiC碳化硅二极管 

B2D05120E1 TO-252 SiC碳化硅二极管 

B1D05120K TO-220-2 SiC碳化硅二极管 

B1D10120HC TO-247-3 SiC碳化硅二极管 

B2D10120HC1 TO-247-3 SiC碳化硅二极管 

B1D16120HC TO-247-3 SiC碳化硅二极管 

B2D16120HC1 TO-247-3 SiC碳化硅二极管 

B1D20120HC TO-247-3 SiC碳化硅二极管 

B2D20120HC1 TO-247-3 SiC碳化硅二极管 

B1D10120H TO-247-2 SiC碳化硅二极管 

B2D10120H1 TO-247-2 SiC碳化硅二极管 

B1D10120E TO-252 SiC碳化硅二极管 

B1D10120K TO-220-2 SiC碳化硅二极管 

B2D10120K1 TO-220-2 SiC碳化硅二极管 

B1D30120HC TO-247-3 SiC碳化硅二极管 

B2D30120HC1 TO-247-3 SiC碳化硅二极管 

B1D20120H TO-247-2 SiC碳化硅二极管 

B2D20120H1 TO-247-2 SiC碳化硅二极管 

B2D40120HC1 TO-247-3 SiC碳化硅二极管 

B2D30120H1 TO-247-2 SiC碳化硅二极管 

B2D40120H1 TO-247-2 SiC碳化硅二极管 

B1M160120HC TO-247-3 SiC碳化硅MOSFET  

B1M080120HC TO-247-3 SiC碳化硅MOSFET 

B1M080120HK TO-247-4 SiC碳化硅MOSFET 

B1M032120HC TO-247-3 SiC碳化硅MOSFET 

B1M032120HK TO-247-3 SiC碳化硅MOSFET 

B1M018120HC TO-247-3 SiC碳化硅MOSFET 

BGH50N65HF1 TO-247-3 50A/650V 混合IGBT

BGH50N65ZF1 TO-247-4 50A/650V 混合IGBT

BGH75N65HF1 TO-247-3 75A/650V 混合IGBT

BGH75N65ZF1 TO-247-4 75A/650V 混合IGBT

凭借禁带宽度大、击穿电场高、热导率大等特性，第三代半导体SiC对电力电子行业产生的革命性影响。SiC MOSFET,第三代半导体,车规碳化硅MOSFET,应用SiC碳化硅MOSFET带来一流的系统效率，更高的功率密度，更低的系统成本,第三代半导体材料SiC拥有卓越的开关性能、温度稳定性和低电磁干扰(EMI)，极其适合新一代电源转换应用，如V2G充电桩SiC MOSFET,无桥FPC SiC碳化硅MOSFET，图腾柱SiC碳化硅MOSFET,PFC碳化硅二极管SiC SBD,光伏碳化硅SiC模块，光伏混合SiC-IGBT模块，OBC碳化硅MOSFET，汽车DC-DC 碳化硅MOSFET，氢燃料空压机SiC碳化硅MOSFET，氢燃料DC-DC SiC碳化硅MOSFET,光储一体机SiC碳化硅MOSFET，Hybrid混合IGBT模块,充电桩电源模块PFC SiC碳化硅二极管，充电桩电源模块输出整流SiC-SBD，太阳能逆变器、电源、电动汽车和工业电源。SiC-MOSFET用于光伏逆变器，储能逆变器，UPS，通信电源等应用时，可以使得逆变器效率更高，输出功率更大，系统尺寸更小，致冷系统更简单（散热器体积更小或采用空气对流致冷）。第三代半导体SiC致力于满足用户对节能，提升效率、缩减尺寸、系统集成和提高可靠性的需求。

正耀电子科技有限公司

地址：江苏省昆山市长江中路177号新都银座19楼A座

电话：0512-50165078

邮箱：seven_sheng@atop-ks.com

 

技术支持

电话：0512-57903529

邮箱：Tom_liu@atop-ks.com

 

北京办事处

电话：010-56645587

邮箱：Andy_Liang@atop-ks.com

 

山东办事处

电话：13562187623

邮箱：huabing_wang@atop-ks.com

 

南京办事处

电话：025-52390119

邮箱：changsheng_yang@atop-ks.com

地址：南京市天元东路228号莱茵铂郡大厦10楼

 

杭州办事处

电话：13013858656

邮箱：flucky_zhou@atop-ks.com

地址：杭州市滨江区江陵路1599号钱塘春晓大厦1315室

 

深圳办事处

电话：18101849649

邮箱：evan_tian@atop-ks.com

地址：深圳市宝安区华美居商务中心A区C座423室

 

台北办事处

电话：+886-937297197

联系人：湯堯丞

邮箱：ferrari_tang@atop-ks.com

地址：桃園市蘆竹區中興五街41-3號4樓